报告人：陈弘达   中国科学院半导体研究所 研究员

报告题目：第三代半导体材料发展概述

报告时间：12月29日 星期五下午 2:45

报告地点：逸夫楼A315

个人简介：

陈弘达，博士，中国科学院半导体研究所研究员，中国科学院大学教授，博士生导师。国家新材料产业发展专家咨询委员会成员，国家科技重大工程“重点新材料研发及应用”实施方案编写专家组成员，“十三五”国家重点研发计划“战略性先进电子材料”实施方案编写专家组和总体专家组组长，中国光学学会光电技术专业委员会副主任，北京电子学会半导体专业委员会副主任，中国材料研究学会常务理事，《半导体科学与技术丛书》副主编。

长期从事光电子与微电子学方面的科研和教学工作，目前研究方向为纳米光电器件、光电子与微电子集成。研制了CMOS硅光发射器件及阵列，硅基纳米材料光调制器与探测器，二维材料倍频器、光电混频器、双光混频器等新型纳米光电器件。研制的纳米材料光电混频器实现了光信号和电信号直接混频，研制的纳米材料光电探测器在光电信号探测的同时实现了不相干光信号直接混频。开展了与标准CMOS工艺兼容的硅基发光器件及其光电子集成电路研究，实现了CMOS光电集成回路。编著两本专著《微电子与光电子集成技术》、《甚短距离光传输技术》，参与编著《半导体科学与技术》、《Telehealthcare Computing and Engineering: Principles and Design》。在国内外重要期刊及国际学术会议发表论文100余篇，申请发明专利30余项。